[发明专利]石墨烯透明导电薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201210235187.4 | 申请日： | 2012-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN102750998A | 公开（公告）日： | 2012-10-24 |
| 发明（设计）人： | 梁奇;梅佳;陈冠雄;吕雪;孔东亮 | 申请（专利权）人： | 深圳市贝特瑞纳米科技有限公司 |
| 主分类号： | H01B1/04 | 分类号： | H01B1/04;H01B5/00;H01B13/00 |
| 代理公司： | 深圳市中知专利商标代理有限公司 44101 | 代理人： | 孙皓;林虹 |
| 地址： | 518106 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种石墨烯透明导电薄膜及其制备方法，要解决的技术问题是提高透明导电薄膜的耐酸碱性。本发明的石墨烯透明导电薄膜为1~50nm的石墨烯薄膜，电导率为300~800S/cm，对波长在200~1100nm的光的透光率为70~85%。本发明的制备方法包括：氧化石墨,制备氧化石墨烯水混合液,制备氧化石墨烯薄膜,还原得到石墨烯透明导电薄膜。本发明与现有技术相比，采用高温还原或者化学还原的方法制备石墨烯透明导电薄膜，具有光通透性好，导电性良，制备面积大，制备方法简单，成本低的优点，本发明的石墨烯透明导电薄膜有望取代传统无机氧化物电极材料ITO，为透明导电薄膜及相关领域的发展提供了无限的空间。 | ||
| 搜索关键词： | 石墨 透明 导电 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种石墨烯透明导电薄膜，其特征在于：所述石墨烯透明导电薄膜为1~50nm的石墨烯薄膜，电导率为300~800S/cm，对波长在200~1100nm的光的透光率为70~85%。
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