[发明专利]一种石墨烯透明薄膜的制备和转移方法有效

专利信息
申请号: 201210235069.3 申请日: 2012-07-09
公开(公告)号: CN102719803A 公开(公告)日: 2012-10-10
发明(设计)人: 梁奇;梅佳;陈冠雄;孔东亮 申请(专利权)人: 深圳市贝特瑞纳米科技有限公司
主分类号: C23C16/26 分类号: C23C16/26;C23C16/56;C25F5/00;C01B31/02
代理公司: 深圳市中知专利商标代理有限公司 44101 代理人: 孙皓;林虹
地址: 518106 广东省深圳*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种石墨烯透明薄膜的制备和转移方法,要解决的技术问题是降低石墨烯透明薄膜转移后的杂质、裂纹和突起。本发明的制备和转移方法包括:金属基片上化学气相沉积石墨烯薄膜,涂聚甲基丙烯酸甲酯或光刻胶形成支撑层,电解石墨烯薄膜与金属基片分离,在支撑层上涂聚甲基丙烯酸甲酯或光刻胶,放入丙酮溶液中,石墨烯薄膜附着在指定衬底上。本发明与现有技术相比,通过电化学起泡方法把石墨烯薄膜和支撑层组成的膜与金属基片分离,将石墨烯薄膜转移到指定衬底上后通过第二次旋涂胶使石墨烯薄膜与指定衬底平面接触良好而不出现裂纹,金属基片可以反复使用,降低了制备石墨烯透明薄膜的成本,转移后石墨烯薄膜与衬底接触良好且杂质少。
搜索关键词: 一种 石墨 透明 薄膜 制备 转移 方法
【主权项】:
一种石墨烯透明薄膜的制备和转移方法,包括以下步骤:一、化学气相沉积石墨烯薄膜:将金属基片放入电炉中,然后通入氢气和氩气,以5~10℃的升温速度,从室温升温至500~1200℃,保持20~30min后,通入碳源气体,保持5~20min,停止通入碳源气体,自然冷却到室温后,停止通入氢气和氩气;对5~10L容积的电炉,氢气流量为10~500sccm,氩气流量为200~1000sccm,碳源气体流量为15~500sccm,碳源气体是甲烷、乙烷、乙烯、丙烯、乙炔、乙醇、苯、甲苯中的一种以上;二、在石墨烯表面旋涂聚甲基丙烯酸甲酯或光刻胶,先在400~600rpm转速下旋转5~10s,然后在3000~5000rpm转速下旋转30~60s,使聚甲基丙烯酸甲酯或光刻胶厚度为不超过1μm,以5~10℃/min的升温速度,从室温升温至60~120℃,加热1~10min,自然冷却至室温,在石墨烯表面形成支撑层;三、将带有支撑层的石墨烯薄膜与金属基片作为负极插入电解溶液中,在正、负极之间加上3~15V的电压,电解1~3600s,石墨烯薄膜与金属基片分离,将支撑层与石墨烯薄膜转移到指定衬底上,石墨烯薄膜与指定衬底接触;电解溶液是浓度为0.5~2M的NaOH溶液,或浓度为0.05~0.5M的K2S2O8;四、在支撑层表面旋涂聚甲基丙烯酸甲酯或光刻胶,先在300~500rpm转速下旋转20~60s,然后在3000~5000rpm转速下旋转20~50s,使聚甲基丙烯酸甲酯或光刻胶厚度为不超过1μm,以5~10℃/min的升温速度,从室温升温至60~120℃,加热1~10min,炉内自然冷却至室温;五、将带有支撑层的石墨烯薄膜和指定衬底放入金属‑氧化物‑半导体电路专用的丙酮溶液中,放置不少于1小时,得到石墨烯薄膜与指定衬底,石墨烯 薄膜附着在指定衬底上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市贝特瑞纳米科技有限公司,未经深圳市贝特瑞纳米科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210235069.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top