[发明专利]一种带有空气间隙的大马士革制造方法无效
| 申请号： | 201210228259.2 | 申请日： | 2012-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN102768985A | 公开（公告）日： | 2012-11-07 |
| 发明（设计）人： | 李磊;陈玉文;胡友存;姬峰;梁学文 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供的一种带有空气间隙的大马士革制造方法，包括以下步骤：在一半导体基体上形成第一金属互连线；刻蚀去除第一空气间隙区域的介电层形成第一金属互连线间间隙；淀积第二介电层形成第一空气间隙；在第二介电层上采用双大马士革刻蚀工艺形成第二金属互连线；刻蚀去除第二空气间隙区域的介电层形成第二金属互连线间间隙；淀积第三介电层，在第二金属互连线间间隙形成第二空气间隙。本发明减小了铜互连线间寄生电容，降低了金属互连RC延迟问题，并且同时改善了铜互连电子迁移和应力迁移可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 带有 空气 间隙 大马士革 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种带有空气间隙的大马士革制造方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1，在一半导体基体上形成第一金属互连线；采用自对准工艺在第一金属互连线上形成第一金属保护层；光刻打开第一空气间隙区域；刻蚀去除第一空气间隙区域的介电层形成第一金属互连线间间隙；淀积第二介电层，在第一金属互连线间间隙形成第一空气间隙；步骤2，在第二介电层上采用双大马士革刻蚀工艺形成第一通孔和第二金属沟槽；金属填充第一通孔和第二金属沟槽，形成第二金属互连线和第一互连通孔；采用自对准工艺在第二金属互连线上形成第二金属保护层；光刻打开第二空气间隙区域；刻蚀去除第二空气间隙区域的介电层形成第二金属互连线间间隙；淀积第三介电层，在第二金属互连线间间隙形成第二空气间隙。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
