[发明专利]稀土永磁体及其制备方法有效
申请号: | 201210228090.0 | 申请日: | 2012-04-27 |
公开(公告)号: | CN102768898A | 公开(公告)日: | 2012-11-07 |
发明(设计)人: | 永田浩昭;野村忠雄;美浓轮武久 | 申请(专利权)人: | 信越化学工业株式会社 |
主分类号: | H01F41/02 | 分类号: | H01F41/02;H01F7/02;H01F1/053;B22F7/02;B22F3/24 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 李跃龙 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明涉及一种稀土永磁体及其制备方法。特别地,将涂覆有金属间化合物(R1iM1j,R1xT2yM1z,R1iM1jHk)、合金(M1dM2e)或金属(M1)粉末与稀土(R2)氧化物的粉末混合物的烧结磁体本体(RaT1bMcBd)进行扩散处理。在扩散处理过程中R2氧化物被部分还原,使得大量的R2通过晶界形式的通道,引入磁体内主相晶粒的界面附近。在使剩磁下降最小化的同时,矫顽力得到提高。 | ||
搜索关键词: | 稀土 永磁体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种制备稀土永磁体的方法,包括步骤:在烧结磁体本体的表面上布置粉末混合物,该烧结磁体本体具有组成RaT1bMcBd,其中R为选自包括Y和Sc的稀土元素中的至少一种元素,T1为Fe和Co中的一种或两种,M为选自Al、Si、C、P、Ti、V、Cr、Mn、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Zr、Nb、Mo、Ag、In、Sn、Sb、Hf、Ta、W、Pb和Bi中的至少一种元素,B为硼,表示原子百分比的“a”、“b”、“c”和“d”在如下范围内:12≤a≤20,0≤c≤10,4.0≤d≤7.0,余量为b,且a+b+c+d=100,该粉末混合物包括具有组成R1iM1j的合金粉末和至少10重量%的R2氧化物,其中R1为选自包括Y和Sc的稀土元素中的至少一种元素,M1为选自Al、Si、C、P、Ti、V、Cr、Mn、Ni、Fe、Co、Cu、Zn、Ga、Ge、Zr、Nb、Mo、Ag、In、Sn、Sb、Hf、Ta、W、Pb和Bi中的至少一种元素,表示原子百分比的“i”和“j”在如下范围内:15<j≤99,余量为i,且i+j=100,该合金粉末含有至少70体积%的金属间化合物相,并具有至多500μm的平均粒径,其中R2为选自包括Y和Sc的稀土元素中的至少一种元素,R2氧化物具有至多100μm的平均粒径,以及在真空或惰性气体中,以低于或等于烧结磁体本体烧结温度的温度,热处理在表面上布置有粉末混合物的烧结磁体本体,以使粉末混合物中的元素R1、R2和M1扩散至烧结磁体本体内部的晶界和/或烧结磁体本体主相晶粒内的晶界附近。
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