[发明专利]一维碳化铪纳米材料的制备方法

摘要

本发明涉及一种一维碳化铪纳米材料的制备方法，其特征在于：配制浓度为0.05～2mol/L的Ni(NO3)2的乙醇或水溶液，将清洗干净的石墨基底放于溶液中浸泡、烘干；然后悬挂于立式的管式电阻炉内进行沉积，沉积结束后停止通入反应气体，关闭加热电源自然降温，制备出一维HfC纳米线、纳米带。本发明方法，利用CVD工艺可控的优点，可有效控制一维HfC纳米材料的形貌和尺寸，获得HfC纳米带和高纯、高性能的HfC纳米线。同时采用的CVD方法沉积温度较低，沉积压力处于低真空范围内，而且使用的催化剂为常见的催化剂化合物试剂，降低了制备高纯和高性能HfC纳米线的成本。

主权项

一种一维碳化铪纳米材料的制备方法，其特征在于步骤如下：步骤1：配制浓度为0.05～2mol/L的Ni(NO3)2的乙醇溶液；步骤2：将清洗干净的石墨基底放于步骤1的溶液中浸泡1h，使其然表面附有Ni(NO3)2，然后取出石墨基底放在40～55℃的干燥箱烘干；步骤3：将步骤2中表面附有Ni(NO3)2的石墨基底悬挂于立式的管式电阻炉内，抽真空至2kPa，然后通入惰性氩气作为保护气体，以5～10℃/min的升温速度将炉温升至1000～1200℃；步骤4：通入H2、HfCl4和CH4气体，控制H2、HfCl4和CH4的分压分别为0.84～0.98，0.08～0.01，0.08～0.01，HfCl4气体流量为80～140mg/min；步骤5：调节真空泵抽速，将CVD炉内的沉积压力控制在2kPa～30kPa；沉积时间为2～8h；步骤6：沉积结束后停止通入反应气体，关闭加热电源自然降温，制备出一维HfC纳米线、纳米带。