[发明专利]一种双磁性层磁异常的剥离方法有效

专利信息
申请号: 201210212070.4 申请日: 2012-06-21
公开(公告)号: CN103513284A 公开(公告)日: 2014-01-15
发明(设计)人: 刘云祥 申请(专利权)人: 中国石油天然气集团公司;中国石油集团东方地球物理勘探有限责任公司
主分类号: G01V3/38 分类号: G01V3/38
代理公司: 北京市中实友知识产权代理有限责任公司 11013 代理人: 刘天语;周慧麟
地址: 100007 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种双磁性层磁异常的剥离方法,用地震勘探构造图得到上磁性层顶面埋深平面网格数据和上磁性层底界埋深平面网格数据,用钻井得到的上层火成岩岩芯磁化率值,形成上磁性层磁化率网格数据,计算节点P的上磁性层的磁异常,用实测工区总场化极磁异常数据,减去上磁性层的磁异常数据,其差值得到下磁性层的磁异常数据,剥离出上、下磁性层的磁异常。本发明实现了双层磁异常的定量剥离,满足了为研究上、下两层火成岩提供对应的磁异常的需要,处理结果是唯一,且与钻井吻合,实际资料表明效果明显。
搜索关键词: 一种 磁性 异常 剥离 方法
【主权项】:
1.一种双磁性层磁异常的剥离方法,特点是通过以下步骤实现:1)实测工区总场磁异常ΔT数据,将数据进行网格化处理和化极处理;2)利用工区地震勘探得到的构造图,形成上磁性层顶面深度图和底界深度图,得到上磁性层顶面埋深平面网格数据和上磁性层底界埋深平面网格数据;3)用工区已知钻井得到的上层火成岩岩芯磁化率值,形成上磁性层磁化率平面分布,形成上磁性层磁化率网格数据;4)按照以下公式计算节点P的上磁性层的磁异常ΔT:磁性体V(ξ,η,ζ)在P(x,y,z)点产生的磁异常ΔT为:其中:μ0是真空磁常数,j是磁化强度,j=k.T0+jr=(1+Q).k.T0;k为磁化率,T0为地磁场强度,jr是剩磁强度,Q为剩感比;R是磁性体V(ξ,η,ζ)到P(x,y,z)点的距离,x,y,z是P(x,y,z)计算点坐标位置,ξ,η,ζ是磁性体V(ξ,η,ζ)体元坐标;体积分中磁性体V的空间区域为上磁性层顶面和底面包围的空间;5)利用步骤2)得到的上磁性层顶面网格数据和上磁性层底面网格数据及步骤3)得到的上磁性层磁化率网格数据,按步骤4)的公式计算得到全工区所有网格节点的上磁性层磁性体的磁异常ΔT的网格数据;6)用步骤1)得到的实测工区总场化极磁异常ΔT网格数据,减去步骤5)得到的上磁性层的磁异常ΔT网格数据,其差值得到下磁性层的磁异常ΔT网格数据,ΔT=ΔT-ΔT,从实测总场化极磁异常ΔT网格数据中剥离出上、下磁性层的磁异常ΔT、ΔT
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