[发明专利]用于FinFET设计的LVS实现有效
申请号: | 201210202399.2 | 申请日: | 2012-06-15 |
公开(公告)号: | CN103310030A | 公开(公告)日: | 2013-09-18 |
发明(设计)人: | 王又君;刘凯明 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | G06F17/50 | 分类号: | G06F17/50 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;孙征 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明涉及用于FinFET设计的LVS实现,其中,一种方法包括将集成电路的布局中的有源区域转换成具有鳍的基于鳍的结构。有源区域属于集成电路器件并且具有平面布局结构。该方法进一步包括使用基于鳍的结构的参数来提取集成电路器件的电阻-电容(RC)负载。转换和提取步骤由计算机执行。 | ||
搜索关键词: | 用于 finfet 设计 lvs 实现 | ||
【主权项】:
一种方法,包括:将集成电路的布局中的有源区域转换成包含鳍的基于鳍的结构,其中,所述有源区域属于集成电路器件,并且所述有源区域具有平面布局结构;以及使用所述基于鳍的结构的参数来提取所述集成电路器件的电阻‑电容(RC)负载,其中,转换和提取的步骤由计算机执行。
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