[发明专利]用于FinFET设计的LVS实现

说明书

技术领域

本发明涉及半导体领域，更具体地，涉及用于FinFET设计的LVS实现。

背景技术

为了在将来继续摩尔定律缩放金属氧化物半导体(MOS)技术，新的一类MOS器件(即，鳍式场效应晶体管(FinFET))在集成电路的制造中变得越来越流行。鉴于集成电路设计的面积成本，FinFET已经增加了平面晶体管上方的沟道宽度，这是因为FinFET使用鳍的侧壁区域作为沟道区域的部分。其益处在于FinFET的饱和电流相应地变得高于传统平面器件的饱和电流。

在典型集成电路设计过程中，例如，先在原理图编译器中生成集成电路的电路原理图。执行布局前仿真，以保证集成电路的原理图可以满足设计规范。在布局前仿真之后，例如使用布局编辑器来生成集成电路的布局。然后对布局图执行设计验证，其中设计验证包括设计规则校验(DRC)、布局比原理图(LVS)验证、布局参数提取(LPE)和寄生电阻-电容(RC)提取(RCX)。

在完成集成电路设计的所有物理验证之后，设计者将获得具有寄生RC网络的布局网表。然后执行仿真后验证，以确定仿真结果是否满足设计规范。如果从仿真后验证中获得的设计性能参数满足设计规范的要求，则可以结束设计。否则，设计过程循环回到原理图生成和编辑步骤，并且重复包括布局前仿真、布局创建、设计验证和布局后仿真的步骤以改进设计。重复循环直至电路性能参数最终满足设计规范的要求。

发明内容

为解决上述问题，本发明提供了一种方法，包括：将集成电路的布局中的有源区域转换成包含鳍的基于鳍的结构，其中，所述有源区域属于集成电路器件，并且所述有源区域具有平面布局结构；以及使用所述基于鳍的结构的参数来提取所述集成电路器件的电阻-电容(RC)负载，其中，转换和提取的步骤由计算机执行。

该方法进一步包括：使用所述集成电路器件的所述RC负载来执行后仿真；以及将从所述后仿真获得的结果与设计规范进行比较。

该方法进一步包括：执行布局比原理图(LVS)验证，以按照所述集成电路的原理图验证所述布局；以及执行布局参数提取(LPE)，以提取所述布局的参数，其中，所述布局的参数包括所述有源区域的宽度。

该方法进一步包括：计算可以放置于所述有源区域中的鳍的数目；以及在所述布局的所述有源区域中创建多个鳍，其中，所述多个鳍的计数等于所述数目。

其中，使用下式来执行计算所述数目的步骤：Nfin＝(Wdrawn+Sfin)/Pfin，其中，Nfin是所述数目，Wdrawn是所述有源区域的宽度，Sfin是所述多个鳍中的邻近鳍之间的间距，而Pfin是所述多个鳍的节距。

其中，所述集成电路器件选自主要由晶体管、变容器、二极管和电阻器所组成的组中。

其中，所述有源区域具有矩形形状。

其中，所述有源区域的形状选自主要由L形和U形所组成的组中。

此外，还提供了一种方法，包括：执行布局比原理图(LVS)验证，以按照集成电路的原理图验证所述集成电路的布局；从所述布局中提取集成电路器件的有源区域的宽度，其中，所述有源区域为平面有源区域；在所述有源区域中创建多个鳍，以形成用于所述集成电路器件的基于鳍的结构；以及使用所述基于鳍的结构来提取所述集成电路器件的电阻-电容(RC)负载，其中，所述LVS验证、提取所述宽度、创建所述多个鳍和提取所述RC负载的步骤中的一个步骤由计算机执行。

该方法进一步包括：使用所述集成电路器件的所述RC负载来执行后仿真；以及将从所述后仿真获得的结果与设计规范进行比较。

该方法进一步包括：在创建所述多个鳍的步骤之前，计算所述多个鳍的总数。

其中，使用下式来执行计算所述总数的步骤：Nfin＝(Wdrawn+Sfin)/Pfin，其中，Nfin是所述总数，Wdrawn是所述平面有源区域的宽度，Sfin是所述多个鳍中的邻近鳍之间的间距，而Pfin是所述多个鳍的节距。

其中，所述集成电路器件选自主要由晶体管、变容器、二极管和基于有源区域的电阻器所组成的组中。

其中，所述有源区域具有矩形形状。

其中，所述有源区域的形状选自主要由L形和U形所组成的组中。