[发明专利]自旋阀GMR薄膜结构、具有其的生物传感器及制作方法有效
| 申请号： | 201210183979.1 | 申请日： | 2012-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN102706954A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 曲炳郡;杨华;雷博 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | G01N27/72 | 分类号： | G01N27/72 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 张大威 |
| 地址： | 100084 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提出一种自旋阀巨磁电阻GMR薄膜结构，包括：衬底；形成在所述衬底之上的缓冲层；依次形成在所述缓冲层之上的复合自由层；形成在所述复合自由层之上的隔离层，所述隔离层为非磁材料；形成在所述隔离层之上的被钉扎层；形成在所述被钉扎层之上的钉扎层；形成在所述钉扎层之上的覆盖层。本发明具有高磁阻率，很好的矫顽力，提高了对生物分子浓度的检测极限，并且可以批量生产应用。本发明还提出一种生物传感器及其制作方法、多通道扫描电路检测系统以及生物检测方法。 | ||
| 搜索关键词： | 自旋 gmr 薄膜 结构 具有 生物 传感器 制作方法 | ||
【主权项】：
一种自旋阀巨磁电阻GMR薄膜结构，其特征在于，包括：衬底；形成在所述衬底之上的缓冲层；依次形成在所述缓冲层之上的复合自由层；形成在所述复合自由层之上的隔离层，所述隔离层为非磁材料；形成在所述隔离层之上的被钉扎层；形成在所述被钉扎层之上的钉扎层；以及形成在所述钉扎层之上的覆盖层。
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