[发明专利]采用NMOS调整管的射频功率放大器功率控制电路有效
申请号: | 201210183490.4 | 申请日: | 2012-06-06 |
公开(公告)号: | CN102769433A | 公开(公告)日: | 2012-11-07 |
发明(设计)人: | 苏强;彭振飞;李阳;候阳;奕江涛 | 申请(专利权)人: | 广州慧智微电子有限公司 |
主分类号: | H03F3/189 | 分类号: | H03F3/189;H03F3/20;H03F1/02 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 510663 广东省广州市高新技术产业*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种面积紧凑的射频功率放大器功率控制电路。在集电极功率控制的射频功放中,集电极的输出电压直接控制了射频输出电压幅度。本发明将通常功率控制中的PMOS型调整管以NMOS管取代,并通过升压型电荷泵电路来提高NMOS调整管的驱动电压。通过提高NMOS管的驱动电压能够提高控制电压的范围。采用NMOS调整管的好处是功率控制电路的输出为低阻抗,补偿电路简单,在不需要外接大的输出电容的情况下能实现稳定的电压输出。其次在具有相同导通能力的情况下NMOS管的面积比同等情况下的PMOS管要小,可以节约芯片面积,降低设计成本。 | ||
搜索关键词: | 采用 nmos 调整 射频 功率放大器 功率 控制电路 | ||
【主权项】:
一种采用NMOS调整管降低射频功率放大器功率控制电路面积的方法。其特征在于,在射频功率放大器中采用集电极功率控制方式,在功率控制电路中采用NMOS管作为导通管,并通过升压电荷泵来提高NMOS管驱动电压实现高输出电压范围。
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