[发明专利]采用NMOS调整管的射频功率放大器功率控制电路有效

专利信息
申请号: 201210183490.4 申请日: 2012-06-06
公开(公告)号: CN102769433A 公开(公告)日: 2012-11-07
发明(设计)人: 苏强;彭振飞;李阳;候阳;奕江涛 申请(专利权)人: 广州慧智微电子有限公司
主分类号: H03F3/189 分类号: H03F3/189;H03F3/20;H03F1/02
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 510663 广东省广州市高新技术产业*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种面积紧凑的射频功率放大器功率控制电路。在集电极功率控制的射频功放中,集电极的输出电压直接控制了射频输出电压幅度。本发明将通常功率控制中的PMOS型调整管以NMOS管取代,并通过升压型电荷泵电路来提高NMOS调整管的驱动电压。通过提高NMOS管的驱动电压能够提高控制电压的范围。采用NMOS调整管的好处是功率控制电路的输出为低阻抗,补偿电路简单,在不需要外接大的输出电容的情况下能实现稳定的电压输出。其次在具有相同导通能力的情况下NMOS管的面积比同等情况下的PMOS管要小,可以节约芯片面积,降低设计成本。
搜索关键词: 采用 nmos 调整 射频 功率放大器 功率 控制电路
【主权项】:
一种采用NMOS调整管降低射频功率放大器功率控制电路面积的方法。其特征在于,在射频功率放大器中采用集电极功率控制方式,在功率控制电路中采用NMOS管作为导通管,并通过升压电荷泵来提高NMOS管驱动电压实现高输出电压范围。
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