[发明专利]一种Cu-Ni-Si基合金及其制备方法无效

专利信息
申请号: 201210181988.7 申请日: 2012-06-05
公开(公告)号: CN102703754A 公开(公告)日: 2012-10-03
发明(设计)人: 阙仲萍;程伟丽;陈津;张金山;林万明;梁伟;丁敏 申请(专利权)人: 太原理工大学
主分类号: C22C9/06 分类号: C22C9/06;C22C1/02;C22F1/08
代理公司: 太原市科瑞达专利代理有限公司 14101 代理人: 卢茂春
地址: 030024 *** 国省代码: 山西;14
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摘要: 发明公开了一种高强度高导电性能Cu-Ni-Si基合金及其制备方法,属于铜合金材料技术领域,其特征在于Cu-Ni-Si-V合金的组分及其重量百分比为:Cu95.5~97.5%,Ni2.0~3.0%,Si0.5~1.2%,V0~0.3%,该方法的具体步骤为:将纯铜、纯硅、纯镍、纯钒按照配比在感应炉中熔炼并在金属模具中浇铸获得坯料。对热轧和冷轧变形处理后的坯料进行时效和固溶处理。实验结果表明:添加合金元素V对Cu-Ni-Si合金由明显的晶粒细化作用;且添加适量的V(0.086wt.%)可以大幅提高合金的导电性,同时只伴随硬度的微量下降,即将合金的综合性能从电导率41.4%IACS,硬度195.7Hv提高到电导率60%IACS,硬度值205Hv;且添加0.086wt.%V的合金析出的弥散细小的第二相体积分数是未添加V之前合金的两倍。
搜索关键词: 一种 cu ni si 合金 及其 制备 方法
【主权项】:
一种高强度高导电性Cu‑Ni‑Si基合金,其特征在于是一种通过添加合金元素钒V对Cu‑Ni‑Si合金进行合金化,提高合金的时效动力,在短时间内时效获得高体积分数的弥散细小第二相达到沉淀强化和净化基体的目的,并结合细晶强化并结合细晶强化获得高强度高导电性能的合金材料,该合金材料其组分和重量百分比为:Cu 95.5~97.5%, Ni 2.0~3.0%, Si 0.5~1.2 %, V 0~0.3%,具有弥散分布在基体上的Ni2Si和(NiV)2Si增强相,其电导率为 60%IACS,硬度值 200Hv。
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