[发明专利]一种导电聚合物修饰的超级电容器及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201210179910.1 申请日: 2012-06-04
公开(公告)号: CN102709071A 公开(公告)日: 2012-10-03
发明(设计)人: 徐建华;陈燕;王偲宇;杨文耀;杨亚杰;龙菁 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: H01G9/26 分类号: H01G9/26;H01G9/04
代理公司: 电子科技大学专利中心 51203 代理人: 葛启函
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 一种导电聚合物修饰的超级电容器及其制备方法,属于超级电容器技术领域。本发明采用MEMS技术将多个微型电容器集成于单一硅基片中,多个微型电容器之间通过并联(或串联后再并联)方式形成超级电容器。所有微型电容器包括一对微型凹槽,两个微型凹槽之间具有一个隔离柱,隔离柱的高度低于微型凹槽的深度;微型凹槽的槽壁沉积有金属电极层和导电聚合物薄膜;微型凹槽内部灌注电解液后密封封装。微型电容器制作过程中,在金属电极层上用简单有效的直接化学聚合导电聚合物薄膜,用以修饰电容器电极来提高微电极比容量、降低等效串联电阻。本发明提供的导电聚合物修饰的超级电容器具有比容量大、集成度高的特点,可作为各种电源或储能器件使用。
搜索关键词: 一种 导电 聚合物 修饰 超级 电容器 及其 制备 方法
【主权项】:
一种导电聚合物修饰的超级电容器,包括硅基片和设置于硅基片中的若干个微型电容器;所有微型电容器具有相同的结构;每个微型电容器包括一对设置于硅基片中的微型凹槽,两个微型凹槽之间具有一个隔离柱,所述隔离柱的高度低于微型凹槽的深度;两个微型凹槽的槽壁沉积有金属电极层,金属电极层表面沉积有导电聚合物薄膜;沉积了金属电极层和导电聚合物薄膜的两个微型凹槽分别作为微型电容器的阴极和阳极;两个微型凹槽内部灌注电解液后密封封装于硅基片内部;所有微型电容器相互并联,形成超级电容器;或者先由相同数量的微型电容器相互串联,形成一个串联支路;再由若干个串联支路相互并联,形成超级电容器。
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