[发明专利]N型晶体硅双面背接触太阳电池的制备方法无效
| 申请号： | 201210166622.2 | 申请日： | 2012-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN102683493A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 杨智;王栩生;章灵军 | 申请（专利权）人： | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯（中国）投资有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 陶海锋;陆金星 |
| 地址： | 215129 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种N型晶体硅双面背接触太阳电池的制备方法，包括如下步骤：(1)清洗、制绒；(2)在硅片背面进行局部磷掺杂；(3)在硅片的正面进行硼扩散；(4)刻蚀周边结；(5)对硅片的正面和背面或硅片的正面进行钝化；(6)对硅片的正面和背面设置减反射膜；(7)在硅片上开孔；(8)在孔内设置孔金属电极；双面印刷金属电极，烧结，即可得到N型晶体硅双面背接触太阳电池。本发明在硅片背面进行局部磷掺杂，硅片背面的非磷掺杂区域为硅片上待开孔的孔的周围区域，由其制得的太阳能电池不存在扩散制结处的短路和漏电的问题，取得了显著的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体 双面 接触 太阳电池 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种N型晶体硅双面背接触太阳电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1) 清洗硅片表面，去除损伤层，在硅片的正面和背面进行制绒；(2) 在硅片背面进行局部磷掺杂，在硅片背面形成磷扩散层；硅片背面的非磷掺杂区域为硅片上待开孔的孔的周围区域；(3) 在硅片的正面进行硼扩散，在硅片正面形成硼扩散层；(4) 刻蚀周边结，去除硅片表面的杂质玻璃，清洗硅片表面；(5) 对硅片的正面和背面或硅片的正面进行钝化；(6) 对硅片的正面和背面设置减反射膜；(7) 在硅片上开孔；(8) 在孔内设置孔金属电极；双面印刷金属电极，烧结，即可得到N型晶体硅双面背接触太阳电池。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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