[发明专利]电容式传感器无效

专利信息
申请号: 201210162784.9 申请日: 2007-04-25
公开(公告)号: CN102654409A 公开(公告)日: 2012-09-05
发明(设计)人: 古久保英一;若林大介;宫岛久和;大渕正夫;青木亮 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社
主分类号: G01D5/241 分类号: G01D5/241;G01P15/125
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 孙纪泉
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 电容式传感器包括固定电极和通过梁部分由支座部分可动支撑的可动电极。固定电极和可动电极彼此相对,在其间夹有间隙,从而组成检测单元。检测适合间隙的尺寸的电容,以检测预定的物理值。连接到支座部分的梁部分的端部和连接到可动电极的梁部分的端部的至少之一设置有调节应力的应力调节单元。大板部分和小板部分相对于为扭转运动的中心的梁部分非对称形成,根据与小板部分相对的第一固定电极和与大板部分相对的第一固定电极相对于作为参考的对称轴的梁部分对称设置的状态考虑扭转中心的偏移量,与大板部分相对的第一固定电极在接近梁部分的方向,而与小板部分相对的第一固定电极在远离梁部分的方向。
搜索关键词: 电容 传感器
【主权项】:
一种电容式传感器,所述电容式传感器包括通过梁部分由半导体层的固定部分可动支撑的第一检测单元,使得保持不对称重量平衡,其中根据在半导体层的厚度方向的物理值的位移移动的第一可动电极、以及形成于支撑半导体层的支撑基板上的第一固定电极彼此相对,在第一可动电极和第一固定电极之间夹有间隙,而第一检测单元基于根据第一可动电极和第一固定电极的尺寸检测的电容来检测所述物理值,所述半导体层为单晶硅层,而电容式传感器包括第一可动电极的移动机构,所述第一可动电极的移动机构包括固定部分、梁部分以及通过垂直刻蚀单晶硅层形成的第一可动电极,所述第一可动电极位于具有短侧和长侧的矩形框架部分内,所述固定部分呈具有矩形横截面的柱形状,两个所述梁部分从与矩形框架部分的短侧相对的固定部分的一对侧壁大致平行地延伸,第一可动电极形成为以间隙环绕固定部分的外侧和梁部分,第一可动电极具有在矩形框架部分的长侧的一侧具有所述间隙的大致矩形的大板部分、以及在矩形框架部分的另一长侧的一侧具有所述间隙的大致矩形的小板部分,尺寸大于小板部分的所述大板部分的质量较大,第一可动电极通过具有不对称质量平衡的梁部分由所述固定部分可动支撑,所述小板部分和大板部分通过一对沿所述矩形框架部分的短侧方向延伸的连接部分彼此连接,所述梁部分分别连接到相应连接部分的支撑基板中心部分,所述第一固定电极包括与所述小板部分相对的与小板部分相对的第一固定电极、以及与所述大板部分相对的与大板部分相对的第一固定电极,所述大板部分和小板部分相对于为扭转运动的中心的梁部分非对称形成,根据所述与小板部分相对的第一固定电极和所述与大板部分相对的第一固定电极相对于作为参考的对称轴的所述梁部分对称设置的状态考虑扭转中心的偏移量,所述与小板部分相对的第一固定电极和所述与大板部分相对的第一固定电极设置在支撑基板的下表面上,使得所述与大板部分相对的第一固定电极在接近梁部分的方向,而与小板部分相对的第一固定电极在远离梁部分的方向。
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