[发明专利]原料气体发生装置有效
申请号: | 201210156431.8 | 申请日: | 2012-05-18 |
公开(公告)号: | CN102808166A | 公开(公告)日: | 2012-12-05 |
发明(设计)人: | 久住庸辅;尾崎公一 | 申请(专利权)人: | 欧姆龙株式会社 |
主分类号: | C23C16/448 | 分类号: | C23C16/448 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 张劲松 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种原料气体发生装置,抑制原料气体的浓度降低。该原料气体发生装置(101)对容器(111)内的固体原料(102)进行加热,产生CVD加工用的原料气体。经由通气管(113)导入到容器(111)内的运载气体通过气体扩散部件(115)的扩散体(131)进行扩散,并从开口部(115A)向垂直下方向喷出。由固体原料102产生的原料气体与运载气体一起从固体原料(102)的上方经由通气管(116)向容器(111)之外排出。本发明例如可适用于产生CVD加工用的原料气体的原料气体发生装置。 | ||
搜索关键词: | 原料 气体 发生 装置 | ||
【主权项】:
一种原料气体发生装置,从由盖密闭的容器内的固体原料产生原料气体,其特征在于,具备:导入部件,其在前端部具有将用于输送所述原料气体的运载气体向所述容器内导入的第一开口部;扩散部件,其在所述原料的上方以堵塞所述第一开口部的方式设置,对导入到所述容器内的所述运载气体进行扩散,并具有第二开口部,该第二开口部使扩散的所述运载气体向垂直下方向喷出;排出部件,其将所述原料气体与所述运载气体一起从所述原料的上方向所述容器之外排出。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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