[发明专利]制备全背电极太阳电池的方法

摘要

本发明涉及太阳电池制备方法技术领域，特别是一种制备全背电极太阳电池的方法。该方法为：在硅片背面制备二氧化硅层，对背面的二氧化硅层进行选择性刻蚀，在没有被二氧化硅层保护的裸露的区域通过磷扩散形成n+层，随后在二氧化硅层和n+层上的需要金属化的区域蒸镀金属铝，在二氧化硅层上长有铝的地方进行激光烧结，使铝渗入Si中形成p+层，并形成欧姆触本发明的有益效果是：极大地简化了全背电极的制备流程，工艺过程简单，且无需对硅层刻蚀，节省硅料，从而降低了整个制备流程的成本。

主权项

一种制备全背电极太阳电池的方法，其特征是：在硅片背面制备二氧化硅层，对背面的二氧化硅层进行选择性刻蚀，在没有被二氧化硅层保护的裸露的区域通过磷扩散形成n+层，随后在二氧化硅层和n+层上的需要金属化的区域蒸镀金属铝，在二氧化硅层上长有铝的地方进行激光烧结，使铝渗入Si中形成p+层，并形成欧姆触。