[发明专利]一种连续制备二维纳米薄膜的化学气相沉积设备

摘要

本发明公开了一种连续制备二维纳米薄膜的化学气相沉积设备，包括进料腔室、薄膜制备腔室、平衡腔室、化学气相沉积腔室等；各腔室之间设有阀门，样品通过传送装置实现在各腔室之间的连续传输；薄膜制备腔室设有物理气相沉积系统；化学气相沉积系统设有加热装装置和气体连接口等；整套装置设有自动化控制系统以控制腔室之间的阀门的开关、样品的传输、气体流量的控制、抽真空等。利用本设备，可以采用化学气相沉积等方法制备石墨烯、过镀金属硫化物、硅烯、锗烯或氮化硼等二维纳米薄膜。本设备在薄膜制备腔室与化学气相沉积腔室之间设有过渡的平衡腔室，结构简单、工作可靠，可大面积地连续制备均匀的石墨烯、过镀金属硫化物、硅烯、锗烯或氮化硼等二维纳米薄膜，适合于二维纳米薄膜的产业化制备。

主权项

一种连续制备二维纳米薄膜的化学气相沉积设备，包括进料腔室(3)，薄膜制备腔室(4)，平衡腔室(5)，化学气相沉积腔室(6)，其特征在于：所述的进料腔室(3)、薄膜制备腔室(4)、平衡腔室(5)和化学气相沉积腔室(6)均设有样品传送装置；所述的进料腔室(3)设有与大气相通的阀门(30)，进料腔室(3)与薄膜制备腔室(4)之间设有阀门(31)，薄膜制备腔室(4)与平衡腔室(5)之间设有阀门(32)，平衡腔室(5)与化学气相沉积腔室(6)之间设有阀门(33)，化学气相沉积腔室(6)设有与大气相通的阀门(34)；所述的薄膜制备腔室(4)设有物理气相沉积系统；所述的化学气相沉积腔室(6)设有加热装置(22)和气体连接口；所述的进料腔室(3)、薄膜制备腔室(4)、平衡腔室(5)、化学气相沉积腔室(6)均设有抽真空装置。