[发明专利]图像传感器无效
申请号: | 201210134129.2 | 申请日: | 2012-04-28 |
公开(公告)号: | CN102629619A | 公开(公告)日: | 2012-08-08 |
发明(设计)人: | 方娜;田犁;汪辉;苗田乐;陈杰 | 申请(专利权)人: | 上海中科高等研究院 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 上海一平知识产权代理有限公司 31266 | 代理人: | 成春荣;竺云 |
地址: | 201210 *** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及半导体技术领域,公开了一种图像传感器。本发明中,感光区域表面的介质层周围,采用具有不同折射率的介质材料ABAB...交替叠层作为侧墙反射层,构建光通路,将光限制在相应的像素感光区域,避免其入射到相邻的像素感光区域,可以减少串扰,提高感光区域的有效感光效率。侧墙反射层通过选择适当的介质材料和周期实现对不同范围入射光的反射,这样可以更好地将对应波段的入射光限制在光通路中,更大程度上防止串扰的发生,并提高入射光的传输效率和吸收效率。层间介质层自上而下介电常数递增,即折射率递增,可以更好地起到聚光作用,减少入射到侧墙反射层的光,进一步提高了入射光的吸收效率。 | ||
搜索关键词: | 图像传感器 | ||
【主权项】:
一种图像传感器,其特征在于,包括多个像素区域,每个像素区域中有一感光器件,每个感光器件表面上方的周围包围有侧墙反射层,构成用于将入射光导入该感光器件的通孔结构,该侧墙反射层包括第一介质材料和第二介质材料交替形成的周期性叠层结构,其中第一介质材料和第二介质材料的介电常数不同。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海中科高等研究院,未经上海中科高等研究院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210134129.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:抑制稠油热采井温度监测噪声的方法
- 下一篇:一种液晶显示装置及背光模块
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的