[发明专利]一种基于垂直磁化自由层的自旋微波振荡器及其制造方法有效
| 申请号： | 201210129734.0 | 申请日： | 2012-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN102637939A | 公开（公告）日： | 2012-08-15 |
| 发明（设计）人： | 曾中明;张宝顺 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01P7/00 | 分类号： | H01P7/00;H01P11/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于垂直磁化自由层的自旋微波振荡器及其制造方法。该自旋微波振荡器包括磁性多层膜以及与其连接的电极，磁性多层膜包括：种子层；形成于种子层上的，具有面内平衡磁化状态的第一磁性层；形成于第一磁性层之上的非磁性隔离层；形成于非磁性隔离层之上的具有垂直磁化的磁性自由层；以及形成于自由层之上的保护层。其制造方法为：采用磁控溅射方法在衬底上依次形成磁性多层膜，再通过微电子工艺将磁性多层膜加工为纳米柱状或点接触结构，并在磁性多层膜上设置上、下电极，形成目标产物。该自旋微波振荡器可获得大的微波功率输出，亦无需外加磁场，同时还具有尺寸小、结构简单、宽频可调和易集成等特点，且易于制备，成本低廉。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 垂直 磁化 自由 自旋 微波 振荡器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种基于垂直磁化自由层的自旋微波振荡器，包括磁性多层膜以及与所述磁性多层膜连接的电极，其特征在于，所述磁性多层膜包括：由非磁性金属材料构成的种子层；形成于种子层上的，具有面内平衡磁化状态的第一磁性层（1）； 形成于第一磁性层（1）之上的非磁性隔离层(2) ；形成于非磁性隔离层（2）之上的具有垂直磁化的磁性自由层（3）；以及，形成于自由层（3）之上的保护层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，未经中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210129734.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
