[发明专利]硫锡钡单晶体及其制备和用途有效

专利信息
申请号: 201210128628.0 申请日: 2012-04-27
公开(公告)号: CN102644116A 公开(公告)日: 2012-08-22
发明(设计)人: 罗中箴;林晨升;程文旦;张炜龙;张浩 申请(专利权)人: 中国科学院福建物质结构研究所
主分类号: C30B29/46 分类号: C30B29/46;C30B1/10;G02F1/355
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 350002 *** 国省代码: 福建;35
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摘要: 发明涉及硫锡钡单晶体及其合成和应用。硫锡钡的分子式为Ba7Sn5S15,分子量为2035.91,属六方晶系,空间群P63cm,单胞参数为α=β=90°,γ=120°,Z=6。采用密封真空石英管及石墨坩埚高温反应法制备。硫锡钡晶体具有优良的红外非线性光学性能,实验测定其粉末(粒度150-212μm)SHG强度约为相应粒度AgGaS2的2倍;在粒度为45-75μm时,达到AgGaS2的10倍,且满足I类相位匹配。
搜索关键词: 硫锡钡 单晶体 及其 制备 用途
【主权项】:
1.硫锡钡非线性单晶体,其化学式为Ba7Sn5S15,分子量为2035.91,属六方晶系,空间群P63cm,单胞参数为α=β=90°,γ=120°,Z=6。
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