[发明专利]一种硫钝化与快速热退火二步法处理n-GaSb衬底的方法无效
| 申请号： | 201210120413.4 | 申请日： | 2012-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN102660775A | 公开（公告）日： | 2012-09-12 |
| 发明（设计）人： | 陈芳;李占国;刘国军;魏志鹏;马晓辉;徐莉;周璐;张晶;李梅;安宁;王博;张升云;田珊珊;高娴;刘超;单少杰;孙鹏;刘晓轩 | 申请（专利权）人： | 长春理工大学 |
| 主分类号： | C30B33/02 | 分类号： | C30B33/02;C30B31/04;H01S5/30 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 130022 *** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种硫钝化与快速热退火二步法处理GaSb衬底的方法，采用硫钝化与快速热退火结合处理GaSb衬底，能更大程度降低n型GaSb表面复合率，改善n型GaSb表面的电学特性，使具有稳定的界面，提高n型GaSb基半导体激光器器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 钝化 快速 退火 步法 处理 gasb 衬底 方法 | ||
【主权项】：
本发明提出了一种硫钝化与快速热退火二步法处理n型GaSb衬底的方法：其特征在于，采用硫钝化处理和快速热退火二步法处理n型GaSb衬底：依次将n型GaSb材料用丙酮、乙醇、IPA超声波、去离子水清洗，再用N2吹干，然后放入S2Cl2溶液中浸泡10‑20s，紧接着用CCl4冲洗，再用丙酮、乙醇、去离子水清洗，最后用N2吹干，完成硫化过程。将硫化后的n‑GaSb材料进行快速热退火处理，退火温度520±5℃，退火时间30s后降至室温完成退火过程。
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