[发明专利]电荷快速转移的大尺寸四管有源像素传感器无效
申请号: | 201210103368.1 | 申请日: | 2012-04-10 |
公开(公告)号: | CN102856332A | 公开(公告)日: | 2013-01-02 |
发明(设计)人: | 徐江涛;李伟平;高静;姚素英;史再峰;高志远;徐超 | 申请(专利权)人: | 天津大学 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/374 |
代理公司: | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人: | 刘国威 |
地址: | 300072*** | 国省代码: | 天津;12 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及电荷快速转移像素传感器。为提高电荷转移的效率减小电荷残留,本发明采取的技术方案是,电荷快速转移的大尺寸四管有源像素传感器,包括钳位二极管区、传输管TG和复位管RST、源级跟随器SF、选通管SEL,钳位二极管区和传输管TG栅极均为U型结构,两U型结构的轴线重合、开口同向,传输管TG栅极设置在钳位二极管区U型结构的底部,传输管TG栅极设置与钳位二极管区U型结构的底部部分交叠;钳位二极管区沿U型结构的轴线朝向开口方向延长形成与U型结构两臂平行的延长区域,在二极管区U型结构的底部轴线附近及延长区域上依次设置有浮空扩散区FD、复位管RST的栅级、RST的漏级。本发明主要用于像素传感器设计制造。 | ||
搜索关键词: | 电荷 快速 转移 尺寸 有源 像素 传感器 | ||
【主权项】:
一种电荷快速转移的大尺寸四管有源像素传感器,包括钳位二极管区、传输管TG和复位管RST、源级跟随器SF、选通管SEL,其特征是,钳位二极管区和传输管TG栅极均为U型结构,两U型结构的轴线重合、开口同向,传输管TG栅极设置在钳位二极管区U型结构的底部,传输管TG栅极设置与钳位二极管区U型结构的底部部分交叠;钳位二极管区沿U型结构的轴线朝向开口方向延长形成与U型结构两臂平行的延长区域,在二极管区U型结构的底部轴线附近及延长区域上依次设置有浮空扩散区FD、复位管RST的栅级、RST的漏级。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津大学,未经天津大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210103368.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的