[发明专利]一种使用低浓度碱溶液制作黑硅材料的方法无效
申请号: | 201210089953.0 | 申请日: | 2012-03-30 |
公开(公告)号: | CN102623562A | 公开(公告)日: | 2012-08-01 |
发明(设计)人: | 孔凡建 | 申请(专利权)人: | 江苏辉伦太阳能科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人: | 董建林 |
地址: | 210061 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种使用低浓度碱溶液制作黑硅材料的方法,规定的碱溶液的浓度为0.2%-1.9%重量比含量之间的一个确定值,将碱溶液加热到20℃-90℃之间的一个确定温度,然后将清洗并抛光过的晶体硅片浸入这个碱溶液中,同时对碱溶液施加超声波,在硅片表面上刻蚀出丛林结构或者密集分布洞穴形态的黑硅。本发明工艺过程简单、成本低廉、几乎不产生对环境有害的物质。 | ||
搜索关键词: | 一种 使用 浓度 溶液 制作 材料 方法 | ||
【主权项】:
一种使用低浓度碱溶液制作黑硅材料的方法,其特征是:将清洗并抛光过的硅片浸入在规定浓度的低浓度碱溶液中,碱溶液浓度的选择范围是重量比含量0.2%‑1.9%,同时对碱溶液施加超声波。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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