[发明专利]一种应用于非金属材料的碳—金属嵌渗式导电膜制备方法无效
| 申请号： | 201210089797.8 | 申请日： | 2012-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN102810347A | 公开（公告）日： | 2012-12-05 |
| 发明（设计）人： | 朱彦文;穆俊江;吴天和;郑秀玉;区柱石;谢赟;何爱忠 | 申请（专利权）人： | 梧州三和新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | H01B5/14 | 分类号： | H01B5/14;H01B1/04 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 543008 广西*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | 一种应用于非金属材料的碳—金属嵌渗式导电膜制备方法，先在非金属材料上形成碳导电膜，再用高能态的金属原子团轰击非金属材料上的碳导电膜，使金属原子团嵌渗到碳导电膜内部，形成碳—金属嵌渗式导电膜。本发明涉及一种应用于非金属材料的碳—金属嵌渗式导电膜制备方法。本发明能够在非金属材料上形成一层既有别于碳导电膜、又有别于金属导电膜的碳—金属嵌渗式膜层，从而产生特殊的导电效果和功能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 应用于 非金属材料 金属 嵌渗式 导电 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种应用于非金属材料的碳—金属嵌渗式导电膜制备方法，其特征是：（1）先在非金属材料上形成碳导电膜；（2）用高能态的金属原子团轰击非金属材料上的碳导电膜，使金属原子团嵌渗到碳导电膜内部，形成碳—金属嵌渗式导电膜。
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