[发明专利]太阳能电池的制备方法有效
申请号: | 201210089075.2 | 申请日: | 2012-03-30 |
公开(公告)号: | CN103367525A | 公开(公告)日: | 2013-10-23 |
发明(设计)人: | 金元浩;李群庆;范守善 | 申请(专利权)人: | 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种太阳能电池的制备方法,包括:提供一硅基板,所述硅基板具有一第一表面以及与该第一表面相对设置的一第二表面;在所述硅基板的第二表面设置一图案化掩膜层;对所述硅基板进行刻蚀,形成多个三维纳米结构,所述三维纳米结构为条形凸起结构,所述条形凸起结构的横截面为弓形;去除所述图案化掩膜层;在所述三维纳米结构表面及相邻三维纳米结构之间的硅基板的表面形成一掺杂硅层;提供一上电极,并将所述上电极设置于所述掺杂硅层的至少部分表面;以及提供一背电极,将所述背电极设置于所述硅基板的第一表面。 | ||
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【主权项】:
一种太阳能电池的制备方法,其包括以下步骤:提供一硅基板,所述硅基板具有一第一表面以及与该第一表面相对设置的一第二表面;在所述硅基板的第二表面设置一图案化掩膜层,所述图案化掩膜层包括多个并排设置的挡墙,相邻的挡墙之间形成一沟槽,所述硅基板通过该沟槽暴露出来;对所述硅基板进行刻蚀,使每一挡墙对应的硅基板的第二表面形成一三维纳米结构,所述三维纳米结构为条形凸起结构,所述条形凸起结构的横截面为弓形;去除所述图案化掩膜层;在所述三维纳米结构表面及相邻三维纳米结构之间的硅基板的表面形成一掺杂硅层;提供一上电极,并将所述上电极设置于所述掺杂硅层的至少部分表面;以及提供一背电极,将所述背电极设置于所述硅基板的第一表面,使所述背电极与所述硅基板的第一表面欧姆接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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