[发明专利]单晶炉引晶温度寻找和控制方法

摘要

一种单晶炉引晶温度寻找和控制方法，在化料过程中，计算机不断接收到来自测温装置的温度信息，当计算机跟踪到至少5分钟时间内测温装置测得的温度恒定在某一数值上，计算机自动将该温度设定为引晶温度，维持最大化料功率，当到达设定的后段化料时间，计算机指令降低加热装置的功率，计算机根据测温装置采集到的温度信息与设定的引晶温度比较，不断调整加热装置功率，直至采集到的温度与设定的引晶温度一致并保持恒定。本发明利用晶体从固态变成液态的熔化过程中温度不变的现象寻找硅晶体的熔化温度，即是引晶温度，本发明简单，但是解决了长期以来单晶炉寻找引晶温度凭经验、费时间的问题。本方法节省时间，节约能源，有利降低成本。

主权项

一种单晶炉引晶温度寻找和控制方法，包括单晶炉，单晶炉具有主炉室以及控制系统，主炉室内设有对坩锅内的硅料加热的加热装置，主炉室外面安装有测温装置，控制系统包括计算机以及显示测温装置所测得的温度变化的显示屏，其特征在于：首先设定参数，参数包括最大化料功率、后段化料时间、化料后的匀温时间，把上述参数输入计算机；计算机程序控制启动加热装置后，逐步加大加热装置的功率，直至达到设定的最大化料功率，在这过程中温度逐渐上升，计算机不断接收到来自测温装置的温度信息，当计算机跟踪到至少5分钟时间内测温装置测得的温度恒定在某一数值上，计算机自动将该温度设定为引晶温度，维持最大化料功率，当到达设定的后段化料时间，计算机指令降低加热装置的功率，计算机根据测温装置采集到的温度信息与设定的引晶温度比较，不断调整加热装置功率，直至采集到的温度与设定的引晶温度一致并保持恒定，恒定的时间达到设定的匀温时间，拉晶开始。