[发明专利]实现至少部分松弛的应变材料的岛状物的方法有效
| 申请号： | 201210074073.6 | 申请日： | 2012-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN102693902A | 公开（公告）日： | 2012-09-26 |
| 发明（设计）人： | R·博列特 | 申请（专利权）人： | 索泰克公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 丁香兰;庞东成 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及实现至少部分松弛的应变材料的岛状物的方法。具体而言，本发明涉及半导体制造领域。更具体而言，本发明涉及一种在目标衬底上形成至少部分松弛的应变材料的岛状物的方法，所述方法包括以下步骤：a)在第一衬底(1110)的侧面上形成(S11)应变材料的岛状物(1231)；b)使所述第一衬底在包含所述应变材料的岛状物的侧面上与所述目标衬底(3170)粘合(S31)；和c)在粘合步骤后，使所述第一衬底与所述目标衬底分离，并且通过第一热处理使所述应变材料的岛状物至少部分松弛(S41)。 | ||
| 搜索关键词： | 实现 至少 部分 松弛 应变 材料 岛状物 方法 | ||
【主权项】：
一种在目标衬底上形成至少部分松弛的应变材料的岛状物的方法，所述方法包括以下步骤：a)在第一衬底(1110)的侧面上形成(S11)应变材料的岛状物(1231)；其特征在于b)使所述第一衬底在包含所述应变材料的岛状物的侧面上与所述目标衬底(3170)粘合(S31)；和c)在粘合步骤后，使所述第一衬底与所述目标衬底分离，并且通过第一热处理使所述应变材料的岛状物至少部分松弛(S41)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
