[发明专利]原位反应制备方镁石-碳化硅-碳复合粉体的方法有效
| 申请号： | 201210073016.6 | 申请日： | 2012-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN102584181A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 魏耀武;李楠;柯昌明;韩兵强;鄢文 | 申请（专利权）人： | 武汉科技大学 |
| 主分类号： | C04B35/01 | 分类号： | C04B35/01;C04B35/565;C04B35/532;C04B35/626 |
| 代理公司： | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人： | 张火春 |
| 地址： | 430081 *** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种原位反应制备方镁石-碳化硅-碳复合粉体的方法。其技术方案是：先将40~80wt%的菱镁矿粉、5~25wt%的单质硅粉、10~30wt%的石墨和1~10wt%的酚醛树脂搅拌混合，压制成型，自然干燥24小时；再于110~300℃条件下热处理8~24小时，然后在1000~1700℃条件下于还原气氛中保温1~12小时，自然冷却，最后破碎成粒度小于100um的粉体。本发明制备工艺简单，采用的菱镁矿原料存储丰富；所制备的方镁石-碳化硅-碳复合粉体具有优良的抗熔体侵蚀、渗透性能和抗热震性能，能提升高温材料的服役性能，使用寿命长。 | ||
| 搜索关键词： | 原位 反应 制备 方镁石 碳化硅 复合 方法 | ||
【主权项】：
一种原位反应制备方镁石‑碳化硅‑碳复合粉体的方法，其特征在于先将40~80wt%的菱镁矿粉、5~25wt%的单质硅粉、10~30wt%的石墨和1~10wt%的酚醛树脂搅拌混合，压制成型，自然干燥24小时；再于110~300℃条件下热处理8~24小时，然后在1000~1700℃条件下于还原气氛中保温1~12小时，自然冷却，最后破碎成粒度小于100um的粉体。
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