[发明专利]降低P型涂敷源工艺的P/N结电容和漏电的方法

摘要

本发明提供一种降低P型涂敷源工艺的P/N结电容和漏电的方法，包括步骤：提供位于晶圆上的N型衬底，其上有N型外延层；在N型外延层上生长氧化层，后开出窗口；在晶圆表面涂敷P型乳胶掺杂源；对晶圆作热处理，将P型乳胶掺杂源中的P型杂质通过窗口作预扩散进入N型外延层中；漂去晶圆表面残留的P型乳胶掺杂源及附带形成的第二氧化层；将晶圆置于炉管中进行带氧推进，将P型杂质在N型外延层中作再扩散；将N型外延层以上的部分湿法全抛；低温下采用LPCVD在N型外延层表面淀积第四氧化层；在第四氧化层上开出接触孔，其内淀积金属。本发明有效降低了P/N结电容和减少漏电，成本极小且工艺改进相对简单。

主权项

一种降低P型涂敷源工艺的P/N结电容和漏电的方法，包括步骤：提供位于半导体晶圆上的N型半导体衬底(201)，在所述N型半导体衬底(201)上形成N型外延层(202)；在所述N型外延层(202)上生长第一氧化层(203)，后在其上开出窗口(204)；在所述晶圆表面涂敷P型乳胶掺杂源(205)；将所述晶圆置于炉管中作热处理，将所述P型乳胶掺杂源(205)中的P型杂质通过所述窗口(204)作预扩散进入其下的所述N型外延层(202)中；漂去所述晶圆表面残留的所述P型乳胶掺杂源(205)以及在上述预扩散过程中附带形成的含杂质的第二氧化层(207)，露出所述窗口(204)；将所述晶圆置于炉管中进行带氧推进，将所述P型杂质在所述N型外延层(202)中作再扩散，所述窗口(204)又被新形成的第三氧化层(209)覆盖；采用湿法刻蚀法将所述N型外延层(202)以上的部分全抛，露出所述N型外延层(202)；在低温下采用低压化学气相淀积法在所述N型外延层(202)的表面淀积第四氧化层(211)；在所述第四氧化层(211)上开出接触孔(213)，其内淀积金属。