[发明专利]一种基于CMUT 的超低量程压力传感器及其制备方法

摘要

本发明提供了一种基于CMUT的超低量程压力传感器及其制备方法，其整体结构自上而下依次为：金属铝上电极、二氧化硅薄膜、二氧化硅支柱、单晶硅基座、氮化硅绝缘层、金属铝下电极。本发明二氧化硅薄膜通过氧化工艺形成，厚度达到几十个纳米，可以提高传感器灵敏度，实现更小压力值得测量；本发明用氮化硅绝缘层将下电极与单晶硅基底完全电隔绝，避免因下电极与单晶硅基座直接连接而在单晶硅基底中产生感应电荷、扩大下电极等一系列不稳定情况，因而本发明可以精确设计电极大小，减小寄生电容，提高CMUT的工作性能及压力测量的精确性。

主权项

一种基于CMUT的超低量程压力传感器，其特征在于：其整体结构自上而下依次为：金属铝上电极(1)、二氧化硅薄膜(2)、二氧化硅支柱(3)、单晶硅基座(5)、氮化硅绝缘层(6)、金属铝下电极(7)，其中，所述二氧化硅支柱(3)的中间部分形成与二氧化硅等高的空腔(4)，金属铝上电极和金属铝下电极分别位于二氧化硅薄膜和氮化硅绝缘层的中间部分，且金属铝上电极和金属铝下电极的横向尺寸大于等于空腔相应尺寸的一半，但小于等于空腔横向尺寸。