[发明专利]ITO电极的制备方法及采用该方法所制备的ITO电极有效
| 申请号： | 201210067104.5 | 申请日： | 2012-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN103310904A | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 程志政 | 申请（专利权）人： | 深圳欧菲光科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01B13/00 | 分类号： | H01B13/00;H01B5/14;G06F3/044 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 邓云鹏 |
| 地址： | 518106 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种ITO电极的制备方法，首先在基材上形成ITO导电层，并将ITO导电层蚀刻成预定的图案，然后在ITO导电层的蚀刻区域上印刷导电银浆，并烘烤。最后在基材与ITO导电层相对的表面上形成光学胶层。由于光学胶具有柔软性，光学胶层可贴合在基材表面，从而可填补应力差产生的弯曲形变。并且，由于光学胶的光学折射率同基材相当，故可从在视觉上消除弯曲形变，进而达到减轻ITO电极表面形变可视性的目的。因此，采用上述方法制备的ITO电极可有效减轻表面形变可视性。此外，本发明还提供一种ITO电极。 | ||
| 搜索关键词： | ito 电极 制备 方法 采用 | ||
【主权项】：
一种ITO电极的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：在基材上形成一层ITO导电层，并对所述ITO导电层进行蚀刻，以形成预定的图案；在所述ITO导电层的蚀刻区域上印刷导电银浆，并烘干；在所述基材与所述ITO导电层相对的表面上形成光学胶层，得到ITO电极。
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