[发明专利]一种复合介电薄膜的制备方法有效

专利信息
申请号: 201210067067.8 申请日: 2012-03-14
公开(公告)号: CN102585268A 公开(公告)日: 2012-07-18
发明(设计)人: 朱红;林爽;匡锡文;王芳辉 申请(专利权)人: 北京化工大学
主分类号: C08J5/18 分类号: C08J5/18;C08L27/12;C08L27/16;C08K3/22
代理公司: 北京康盛知识产权代理有限公司 11331 代理人: 张良
地址: 100029 *** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种复合介电薄膜的制备方法,该方法以含氟聚合物和混合晶型纳米TiO2混合流延成膜。其中混晶纳米TiO2中两晶型的摩尔组分可以根据反应时间来控制:锐钛矿为36%-45%,金红石为55%-64%;复合介电薄膜质量百分比组成为:混晶纳米TiO2为5%-40%,含氟聚合物为60%-95%。这种复合介电薄膜是具有较高的介电常数,较低的介电损耗的新型介电材料。可以通过控制填料添加比例和填料晶型比例来制备所需介电常数的复合介电薄膜。该复合介电薄膜制备工艺简单、复合温度低且对环境友好,具有广泛的应用前景。
搜索关键词: 一种 复合 薄膜 制备 方法
【主权项】:
一种复合介电薄膜的方法,包括如下步骤:1、通过回流法由锐钛矿、金红石两种晶型组成制备不同晶型比例混晶TiO2,混晶TiO2不同的晶型比例可以由反应时间控制,所述回流时间为6‑18h;将步骤1制备的混晶TiO2、含氟聚合物和溶剂N,N‑二甲基甲酰胺(DMF)混合后,超声搅拌分散均匀,形成稳定的溶胶;将步骤2制备的溶胶在模具上80±1℃流延成膜,干燥18±1h,再经过自然冷却、120±1℃退火8±1h,去除残留溶剂,即得到厚度为110‑150μm的混合晶型无机纳米填料/聚合物基复合介电薄膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京化工大学,未经北京化工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210067067.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top