[发明专利]3.65微米至5微米宽带红外滤光片及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201210063890.1 申请日: 2012-03-12
公开(公告)号: CN102590917A 公开(公告)日: 2012-07-18
发明(设计)人: 吕晶 申请(专利权)人: 杭州麦乐克电子科技有限公司
主分类号: G02B5/20 分类号: G02B5/20;G02B1/10;B32B9/04
代理公司: 杭州金源通汇专利事务所(普通合伙) 33236 代理人: 唐迅
地址: 310000 浙江省杭州市西*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种3.65微米至5微米宽带红外滤光片及其制作方法,其特征是:采用尺寸为Φ18×1.0mm的单晶锗Ge作基板1,其表面光圈N≤5,局部光圈ΔN≤0.5,平行度θ≤1’,表面光洁度优于60/40;镀膜材料选择一氧化硅SiO和单晶锗Ge,在基板两个表面上分别沉积多层干涉薄膜;第一面膜系干涉薄膜2设计采用:Sub|1.33(.5HL.5H)53.39(.5LH.5L)5|Air;第二面膜系干涉薄膜3设计采用:Sub|0.92(.5HL.5H)3  1.1(.5HL.5H)4|Air;本发明提供的一种3.65微米至5微米宽带红外滤光片,双侧陡度<3%即从透过率的5%到80%的过渡区域小于200nm,高透区域透过率≥90%、截止区域内截止深度≤0.1%,在热像仪波段3.7~4.9μm范围内透过率高达92%以上,获得优异的信噪比,满足高性能热像仪的灵敏度和精度要求。
搜索关键词: 3.65 微米 宽带 红外 滤光 及其 制作方法
【主权项】:
一种3.65微米至5微米宽带红外滤光片,其特征是:(1)采用尺寸为Φ18×1.0mm的单晶锗Ge作基板,其表面光圈N≤5,局部光圈ΔN≤0.5,平行度θ≤1’,表面光洁度优于60/40;(2)镀膜材料选择一氧化硅SiO和单晶锗Ge,在基板两个表面上分别沉积多层干涉薄膜;(3)第一面膜系干涉薄膜设计采用:Sub|1.33(.5HL.5H)5  3.39(.5LH.5L)5|Air第二面膜系干涉薄膜设计采用:Sub|0.92(.5HL.5H)3  1.1(.5HL.5H)4|Air膜系中符合含义分别为:Sub为基板、Air为空气、H为λc/4单晶锗膜层、L为λc/4一氧化硅膜层、λc=2μm、结构中数字为膜层的厚度系数、结构中的指数是膜堆镀膜的周期数。
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