[发明专利]3.65微米至5微米宽带红外滤光片及其制作方法有效
| 申请号： | 201210063890.1 | 申请日： | 2012-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN102590917A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 吕晶 | 申请（专利权）人： | 杭州麦乐克电子科技有限公司 |
| 主分类号： | G02B5/20 | 分类号： | G02B5/20;G02B1/10;B32B9/04 |
| 代理公司： | 杭州金源通汇专利事务所(普通合伙) 33236 | 代理人： | 唐迅 |
| 地址： | 310000 浙江省杭州市西*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 3.65 微米 宽带 红外 滤光 及其 制作方法 | ||
1.一种3.65微米至5微米宽带红外滤光片，其特征是：
(1)采用尺寸为Φ18×1.0mm的单晶锗Ge作基板，其表面光圈N≤5，局部光圈ΔN≤0.5，平行度θ≤1’，表面光洁度优于60/40；
(2)镀膜材料选择一氧化硅SiO和单晶锗Ge，在基板两个表面上分别沉积多层干涉薄膜；
(3)第一面膜系干涉薄膜设计采用：Sub|1.33(.5HL.5H)5 3.39(.5LH.5L)5|Air
第二面膜系干涉薄膜设计采用：Sub|0.92(.5HL.5H)3 1.1(.5HL.5H)4|Air
膜系中符合含义分别为：Sub为基板、Air为空气、H为λc/4单晶锗膜层、L为λc/4一氧化硅膜层、λc＝2μm、结构中数字为膜层的厚度系数、结构中的指数是膜堆镀膜的周期数。
2.一种如权利要求1所述的3.65微米至5微米宽带红外滤光片的制作方法，其特征是以单晶锗Ge为基板，一氧化硅SiO和单晶锗Ge为镀膜材料，采用真空物理气相沉积的方法真空镀膜，并采用蒸发工艺条件为真空度≤10-3Pa的真空环境下进行300℃以下的加热烘烤，采用物理气相沉积方式加以离子源辅助镀膜；单晶锗材料采用电子枪蒸发、硫化锌材料采用阻蒸热蒸发，蒸发速率均控制在1nm/S以内。
3.根据权利要求2所述的3.65微米至5微米宽带红外滤光片的制作方法，其特征是在基板一面采用长通叠加短通膜系结构、另一面采用标准干涉截止膜系的结构进行设计，采用反射式间接光控进行宽带膜系和干涉截止膜系进行镀膜控制。
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