[发明专利]一种Pd单质包覆ZnO纳米棒阵列的制备方法

摘要

本发明涉及一种Pd单质包覆ZnO纳米棒阵列的制备方法，包括：(1)清洗玻璃毛细管微通道；将二水合醋酸锌乙醇溶液和氢氧化钠的乙醇溶液同时注满上述清洗后的微通道，在微通道内表面上得到ZnO晶种层薄膜；将硝酸锌水溶液和六亚甲基四胺水溶液同时通入内表面上长有ZnO晶种层薄膜的微通道，得到在微通道内表面上垂直生长的ZnO纳米棒阵列；(2)用去离子水稀释钯盐的酸溶液，加入PVP，再匀速滴加醇与水的混合溶液，得到Pd单质溶胶；(3)将上述Pd单质溶胶输送到步骤(1)得到的内表面上垂直生长的ZnO纳米棒阵列的微通道中进行包覆，最后烘干，即可。本方法过程简单、耗费小，得到的Pd/ZnO纳米棒阵列比表面积大。

主权项

一种Pd单质包覆ZnO纳米棒阵列的制备方法，包括：(1)在室温下，依次将玻璃毛细管微通道浸泡于酸洗液和碱洗液中酸洗、碱洗各20～40min，最后用去离子水冲洗，烘干，得到清洗后的微通道；60℃下，将浓度为0.01M的二水合醋酸锌乙醇溶液和浓度为0.04M氢氧化钠的乙醇溶液，同时各以25μL/min的速度注满上述清洗后的微通道，先60℃保温2h，再70℃保温2h，然后将升温至150℃退火2h，在微通道内表面上得到ZnO晶种层薄膜；最后，在90℃下，将0.05M的硝酸锌水溶液和0.05M的六亚甲基四胺水溶液同时各以25μL/min的速度连续通入内表面上长有ZnO晶种层薄膜的微通道2h，清洗后在150℃下烘干，得到在微通道内表面上垂直生长的ZnO纳米棒阵列；(2)配制浓度为0.005～0.5g/mL钯盐的酸溶液，体积比为1∶1～1∶5的醇与水的混合溶液；取0.5～3mL的钯盐的酸溶液，用去离子水稀释至10～15mL，并向其中加入0.005～1g PVP；70～90℃下搅拌，再以10～18mL/h的速度匀速滴加醇与水的混合溶液1～4h，得到Pd单质溶胶；(3)于70～90℃下将上述Pd单质溶胶连续输送到步骤(1)得到的内表面上垂直生长的ZnO纳米棒阵列的微通道中进行包覆，输入时间为1～4h；最后于100～150℃烘干，即得。