[发明专利]一种薄膜太阳能电池有效
| 申请号： | 201210056922.5 | 申请日： | 2012-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN102637752A | 公开（公告）日： | 2012-08-15 |
| 发明（设计）人： | 许宜申;顾济华;陶智;吴迪 | 申请（专利权）人： | 苏州大学 |
| 主分类号： | H01L31/0232 | 分类号： | H01L31/0232;H01L31/0352;H01L31/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮;李辰 |
| 地址： | 215123 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜太阳能电池，其包括基底、金属薄膜层或布拉格反射层、硅薄片、微纳米结构或多层膜抗反射层以及薄膜微透镜阵列层，所述基底表面带有微纳米结构，所述微纳米结构的底部或脊区设有所述金属薄膜层或者布拉格反射层，所述硅薄片的表面设有微纳米结构层和/或多层膜抗反射层。本发明实施例的薄膜太阳能电池通过结合薄膜微透镜阵列层、硅薄片、微纳米结构或者多层膜抗反射层，在较大的入射角范围内使得薄膜太阳能电池具有更低的表面反射率，增加其对入射光的吸收，减少了光能的损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜 太阳能电池 | ||
【主权项】：
一种薄膜太阳能电池，其特征在于：包括基底、金属薄膜层或布拉格反射层、硅薄片、微纳米结构或多层膜抗反射层以及薄膜微透镜阵列层，所述基底表面带有微纳米结构，所述微纳米结构的底部或脊区设有所述金属薄膜层或者布拉格反射层，所述硅薄片的表面设有微纳米结构层和/或多层膜抗反射层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州大学，未经苏州大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210056922.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
