[发明专利]电荷积分多线性图像传感器

摘要

本发明涉及时延和信号积分线性图像传感器(或TDI传感器)。根据本发明，像素包括覆盖半导电层(12)的一连串数个绝缘栅极G1i、G2i、G3i、G4i，一个像素的栅极通过栅极的狭窄的未覆盖的间隙彼此分离并与另一线的相邻像素的栅极分离，并且该所述一个像素的栅极包括由第一类型(p)的掺杂表面区域(16)覆盖的第二类型导电性的掺杂区域(14，n型)；表面区域保持在同一参考电势；相邻栅极之间的狭窄间隙的宽度使得：当栅极维持将电荷从一个像素转移到下一个像素所必需的交替的电势时，第二类型的区域的内部电势在狭窄间隙的整个宽度上被更改。

主权项

一种以时延和电荷积分进行操作的电荷转移图像传感器，所述传感器包括：N个相邻的像素线，每个像素线有P个像素，用于通过由数个像素线相继观察同一图像线并累积由各个线中的给定排列的像素中的图像点所生成的电荷，所述像素形成在第一类型导电性的半导电层中，所述第一类型导电性的半导电层由对光透明的绝缘栅极覆盖；以及被设置用于向所述栅极施加交替的电势，以容许存储电荷并且然后从一个栅极向下一个栅极定向转移所述电荷的构件，其特征在于：像素包括所述半导电层以上的一连串数个绝缘栅极，一个像素的所述栅极通过位于第二类型导电性的掺杂区域以上的狭窄未覆盖的间隙彼此分离并且与另一线的相邻像素的所述栅极分离，所述第二类型导电性的掺杂区域由所述第一类型的掺杂表面区域覆盖，所述表面区域保持在同一参考电势，相邻栅极之间的所述狭窄间隙的宽度使得当与所述间隙相邻的栅极接收交替的高和低电势时，所述第二类型的所述掺杂区域的内部电势在所述狭窄间隙的整个宽度中被更改。