[发明专利]铌镓酸铅-铌镁酸铅-钛酸铅铁电单晶及其制备方法在审
申请号: | 201210056303.6 | 申请日: | 2012-03-05 |
公开(公告)号: | CN102534788A | 公开(公告)日: | 2012-07-04 |
发明(设计)人: | 沈东全;龙西法;李修芝;王祖建;刘颖;李涛 | 申请(专利权)人: | 中国科学院福建物质结构研究所 |
主分类号: | C30B29/22 | 分类号: | C30B29/22;C30B29/30;C30B29/32;C30B17/00;C30B11/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 350002 *** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本发明公开了铌镓酸铅-铌镁酸铅-钛酸铅铁电晶体及其制备方法和用途。该晶体材料属钙钛矿型结构且存在MPB区,其化学式为(1-x-y)Pb(Ga1/2Nb1/2)O3-xPb(Mg1/3Nb2/3)O3-yPbTiO3。所述的晶体采用高温溶液法或顶部籽晶法生长并且生长出的为晶体显露(001)自然生长面四方形晶体。该晶体有较好的压电和机电性能,并且有相对高的居里温度和较好的热稳定性,具有广泛的应用前景。 | ||
搜索关键词: | 铌镓酸铅 铌镁酸铅 铅铁 电单晶 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
铌镓酸铅‑铌镁酸铅‑钛酸铅铁电单晶,其特征在于:该材料化学式为(1‑x‑y)Pb(Ga1/2Nb1/2)O3‑xPb(Mg1/3Nb2/3)O3‑yPbTiO3,属于典型的钙钛矿结构且该固溶体存在准同型相界区。
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