[发明专利]一种介电梯度陶瓷基光子晶体无效

专利信息
申请号: 201210054971.5 申请日: 2012-03-05
公开(公告)号: CN102560679A 公开(公告)日: 2012-07-11
发明(设计)人: 梁庆宣;李涤尘;杨改 申请(专利权)人: 西安交通大学
主分类号: C30B29/68 分类号: C30B29/68
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人: 王艾华
地址: 710049 *** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开一种介电梯度陶瓷基光子晶体,包含了两种或两种以上介电常数的陶瓷材料。本发明通过控制不同固相含量的同种陶瓷耦合实现介电常数梯度。具体是指:将同种陶瓷材料不同固相含量的陶瓷浆料(对应介电常数不同)依次分层填充在设计好的光子晶体结构中,形成通过控制陶瓷浆料固相含量实现介电常数梯度分布的光子晶体。具体包括顺序逐层叠加和周期性交叉两种形式。本发明中的介电梯度光子晶体通过控制同种陶瓷浆料的固相含量形成介电梯度分布的光子晶体,增强了介电常数变化,加强了布拉格散射,得到比均匀固相含量陶瓷基光子晶体更宽的带隙,同时实现对带隙宽度和中心频率位置的可控性。
搜索关键词: 一种 梯度 陶瓷 光子 晶体
【主权项】:
一种介电梯度陶瓷基光子晶体,其特征在于,周期性地层叠了由不同固相含量的同种陶瓷形成介电梯度分布的多个层,具体包括顺序逐层叠加和周期性交叉两种形式:顺序逐层叠加的介电梯度光子晶体是指:在具有周期性结构的第一层、第二层、第三层……第n层分别填充不同介电常数的同种陶瓷材料,其中介电常数是依次增加或依次减小;周期性交叉的介电梯度光子晶体是指:在具有周期性结构的第一层填充第一种介电常数的陶瓷材料,第二层填充第二种介电常数的同种陶瓷材料,然后在第三层再填充第一种介电常数的陶瓷材料,第四层填充第二种介电常数的陶瓷材料。
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