[发明专利]一种镍纳米颗粒/硅纳米线磁性复合材料的制备方法无效

专利信息
申请号: 201210054705.2 申请日: 2012-03-05
公开(公告)号: CN102592769A 公开(公告)日: 2012-07-18
发明(设计)人: 王志亮;陈雪皎;朱美光;陈云;严强;张健 申请(专利权)人: 华东师范大学
主分类号: H01F1/00 分类号: H01F1/00;B82Y30/00;B82Y25/00;B82Y40/00
代理公司: 上海蓝迪专利事务所 31215 代理人: 徐筱梅;张翔
地址: 200241 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种镍纳米颗粒/硅纳米线磁性复合材料的制备方法,该方法是在硅片上生长硅纳米线,再在硅纳米线上沉积镍纳米颗粒,得到镍纳米颗粒/硅纳米线磁性复合材料,该材料镍纳米颗粒为大小均匀球状纳米颗粒,直径为35~40nm;单分散在直径为20~300nm、长度为70~75μm的硅纳米线表面,相对独立,互无干扰;具有高阻塞温度(370K),高矫顽力和低饱和磁化强度等磁性特征(5K时,饱和磁化强度为4.5emu/g,矫顽力为375.3Oe;400K时,饱和磁化强度为2.6emu/g,矫顽力为33.3Oe)。本发明具有制备方法简单,成本低,高重复性,制备环境要求低,适用于大规模工业生产。本发明制备的镍纳米颗粒/硅纳米线磁性复合材料可应用于磁性纳米材料、纳米磁存储等诸多领域。
搜索关键词: 一种 纳米 颗粒 磁性 复合材料 制备 方法
【主权项】:
一种镍纳米颗粒/硅纳米线磁性复合材料的制备方法,其特征在于该方法包括以下具体步骤:(1) 标准RCA清洗步骤清洗硅片(p‑Si,双面抛光,<100> 晶向,电阻率为 0.1‑10 W×cm),氮气吹干备用;(2) 25 mmol L‑1AgNO3溶液与浓度为40%的氢氟酸混合,得到混合溶液,其25 mmol L‑1AgNO3溶液和浓度为40% 的氢氟酸体积比为1:1,超声使混合溶液均匀分布;将经清洗的硅片完全淹没于混合溶液中进行刻蚀,在刻蚀过程中,硅片表面与混合溶液液面垂直,并保证硅片两面刻蚀速率相同,反应时间60~70分钟,硅片双面生长有硅纳米线,其直径为20~300 nm,长度为70~75μm,然后,用大量去离子水冲洗,去除化学试剂残留;用硝酸去除沉积银;大量去离子水冲洗,去除化学试剂残留,氮气吹干备用;(3) 制备镍纳米颗粒/硅纳米线磁性复合材料a)镀液配置将1 mol L‑1六水合硫酸镍、0.5 mol L‑1硫酸铵、0.4 mmolL‑1十二烷基苯磺酸钠、2.5 mol L‑1氟化铵及0.2 mol L‑1柠檬酸钠混合,形成混合溶液,氨水调整混合溶液 pH值至8.5~9.0,85℃条件下,磁力搅拌均匀混合,直至混合溶液为绿色透明溶液;b)将制得的生长有硅纳米线的硅片置于镀液中反应3~5秒,镍纳米颗粒沉积在硅纳米线表面,其直径为35~40 nm,然后,用大量去离子水冲洗,去除表面残留物,在氮气氛围下吹干,得到镍纳米颗粒/硅纳米线磁性复合材料;其中:所述硅片为p‑Si,双面抛光,<100> 晶向,电阻率为 0.1‑10 Ω·cm。
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