[发明专利]一种钼酸镧基氧离子导体的激光制备方法无效
| 申请号： | 201210048597.8 | 申请日： | 2012-02-29 |
| 公开（公告）号： | CN102584330A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 晁明举;余菊美;李德川;梁二军;李明玉 | 申请（专利权）人： | 郑州大学 |
| 主分类号： | C04B41/00 | 分类号： | C04B41/00 |
| 代理公司： | 郑州联科专利事务所(普通合伙) 41104 | 代理人： | 田小伍;黄伟 |
| 地址： | 450001 *** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明属于固体氧化物氧离子导体的制备技术领域，特别涉及一种钼酸镧基氧离子导体的激光制备方法。以la2O3、MoO3、WO3粉末为原料，按照La2Mo2-xWxO9中x取值0.2-1.2的摩尔比配比，混合均匀、压坯之后进行预烧，再用CO2激光束照射使之充分反应。本发明制备方法工艺简单、成本低、耗时短、能耗低、工艺重复性好，获得的钼酸镧基氧离子导体样品致密度高、氧离子电导率高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 钼酸 镧基氧 离子 导体 激光 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种钼酸镧基氧离子导体的激光制备方法，所述钼酸镧基氧离子导体为La2Mo2‑xWxO9，其特征在于，以la2O3、MoO3、WO3 粉末为原料，按照La2Mo2‑xWxO9中x取值0.2‑1.2的摩尔比配比，混合均匀、压坯之后进行预烧，再用CO2激光束照射使之充分反应。
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