[发明专利]叠层硅基异质结太阳能电池

摘要

本发明涉及一种叠层硅基异质结太阳能电池，具有c-Si(p)基体，c-Si(p)基体正面沉积有nc-Si:H(i)层，nc-Si:H层正面沉积有a-Si:H(n+)层，nc-Si:H层的厚度为3～5nm，a-Si:H(n+)层的厚度为10～15nm，c-Si(p)基体背面沉积有a-Si:H(i)层，a-Si:H(i)层背面沉积有nc-Si(p+)层，a-Si:H(i)层的厚度为3～5nm，nc-Si(p+)层的厚度为10～15nm。本发明减弱了非晶硅的光致衰减效应，改变了晶体硅与非晶硅之间的带隙突变结构，以及增加了叠层电池被钝化效果，有利于提高电池效率，而且利于产业化，生产方便。

主权项

一种叠层硅基异质结太阳能电池，具有硅片，所述的硅片具有c‑Si(p)基体，其特征在于：所述的c‑Si(p)基体正面沉积有nc‑Si:H(i)层，所述的nc‑Si:H(i)层正面沉积有a‑Si:H(n+)层，所述的nc‑Si:H(i)层的厚度为3～5nm，所述的a‑Si:H(n+)层的厚度为10～15nm，所述的c‑Si(p)基体背面沉积有a‑Si:H(i)层，所述的a‑Si:H(i)层背面沉积有nc‑Si(p+)层，所述的a‑Si:H(i)层的厚度为3～5nm，所述的nc‑Si(p+)层的厚度为10～15nm。