[发明专利]一种用于栅极侧墙的二氧化硅薄膜的沉积方法有效
| 申请号： | 201210046161.5 | 申请日： | 2012-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN102534550A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 徐强;毛智彪 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/40 | 分类号： | C23C16/40;C23C16/44;H01L21/316 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于栅极侧墙的二氧化硅薄膜的沉积方法，包括：提供衬底；将所述衬底放入SACVD设备；在所述衬底上沉积二氧化硅薄膜；对所述二氧化硅薄膜进行去氢处理；重复上述沉积二氧化硅薄膜和去氢处理两个步骤，直至形成预定厚度的二氧化硅薄膜；取出衬底。本发明通过多次沉积和去氢处理的循环方式进行整个二氧化硅薄膜沉积过程，减少了二氧化硅薄膜中氢的含量，提高薄膜密度，改善了侧墙二氧化硅薄膜的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 栅极 二氧化硅 薄膜 沉积 方法 | ||
【主权项】：
一种用于栅极侧墙的二氧化硅薄膜的沉积方法，其特征在于，包括：S1：提供衬底；S2：将所述衬底放入SACVD设备；S3：在所述衬底上沉积二氧化硅薄膜；S4：对所述二氧化硅薄膜进行去氢处理；重复所述步骤S3至S4，直至形成预定厚度的二氧化硅薄膜；S5：取出衬底。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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