[发明专利]存储元件和存储装置有效
| 申请号： | 201210042751.0 | 申请日： | 2012-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN102683378A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 水口彻也;大场和博;保田周一郎;紫牟田雅之;河内山彰;清宏彰 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L27/24 | 分类号： | H01L27/24;H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 武玉琴;陈桂香 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于包括离子源层和电阻变化层的存储层中出现的电特性变化来存储信息的存储元件以及包括多个所述存储元件的存储装置。所述存储层包括：电阻变化层，其设置在所述第一电极一侧，且具有单层或多层结构，所述单层结构或多层结构包括如下层，所述单层结构或多层结构所包括的层的最主要组成是作为阴离子成分的碲；以及离子源层，其设置在所述第二电极一侧，且包含金属元素及一种或多种包括碲、硫和硒的硫族元素，且所述金属元素包括铝，所述离子源层中的铝的含量为27.7原子％以上且47.4原子％以下。由此，本发明的存储元件能够以低电流进行良好操作并具有令人满意的保持特性。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 元件 装置 | ||
【主权项】：
一种存储元件，所述存储元件依次包括第一电极、存储层和第二电极，其中，所述存储层包括：电阻变化层，其设置在所述第一电极一侧，并具有单层或多层结构，所述单层结构或多层结构包括如下层，所述单层结构或多层结构所包括的层的最主要组成是作为阴离子成分的碲；以及离子源层，其设置在所述第二电极一侧，并包含金属元素及一种或多种包括碲、硫和硒的硫族元素，且所述金属元素包括铝，所述离子源层中的铝的含量为27.7原子％以上且47.4原子％以下。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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