[发明专利]选择性接触的太阳电池前电极的制作方法无效

专利信息
申请号: 201210042298.3 申请日: 2012-02-23
公开(公告)号: CN102569528A 公开(公告)日: 2012-07-11
发明(设计)人: 李中兰 申请(专利权)人: 常州天合光能有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18
代理公司: 常州市维益专利事务所 32211 代理人: 路接洲
地址: 213031 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明涉及一种选择性接触的太阳电池前电极的制作方法,首先用刻蚀浆料印刷或者激光开槽的方法在制备完SiNx减反膜的硅片上开槽,使之将该部分SiNx腐蚀掉,露出前电极与硅选择性接触的部分;然后印刷不含玻璃料的银浆料形成一种选择性接触的前电极。本发明相比于普通的产业太阳电池前电极来说,前电极与硅直接接触的面积大大减小,从而减小了金属-半导体接触界面处的载流子复合,可以提高太阳电池的效率;如果将其应用于高效的太阳电池结构如选择性发射结太阳电池等,还可以将太阳电池的效率进一步提升。
搜索关键词: 选择性 接触 太阳电池 电极 制作方法
【主权项】:
一种选择性接触的太阳电池前电极的制作方法,其特征在于包括以下步骤:1)对硅片进行前处理;2)用刻蚀浆料印刷或者激光开槽的方法在制备完SiNx减反膜的硅片上开槽,使之将该部分SiNx腐蚀掉,露出前电极与硅选择性接触的部分;3)印刷背电极及背电场;4)印刷前电极。
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