[发明专利]铜酞菁齐聚物/聚合物高介电常数复合薄膜的制备方法无效
| 申请号： | 201210041612.6 | 申请日： | 2012-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN102585266A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 王经文;李淑琴 | 申请（专利权）人： | 南京航空航天大学 |
| 主分类号： | C08J5/18 | 分类号： | C08J5/18;C08L27/16;C08L75/04;C08L63/00;C08L33/00;C08L25/18;C08K5/3467 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 曹翠珍 |
| 地址： | 210016*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种铜酞菁齐聚物/聚合物高介电常数复合薄膜的制备方法，属于高介电常数高分子复合材料领域。是将铜酞菁齐聚物化学接枝到聚合物上，然后利用溶液浇铸法制备铜酞菁齐聚物/聚合物复合薄膜。聚合物为带有PVDF基团的聚合物、聚氨酯、环氧树脂、丙烯酸树脂弹性体或聚对氯甲基苯乙烯之任一种。PVDF基聚合物需要在接枝前增加活性苄氯基团。利用该方法制备的复合薄膜均匀致密，具有较好的柔韧性，且铜酞菁齐聚物含量为15%时，复合物在室温及100Hz频率下的介电常数高达400以上，介电损耗低于0.24，性能远高于通常的铁电陶瓷/聚合物复合材料。 | ||
| 搜索关键词： | 铜酞菁 齐聚 聚合物 介电常数 复合 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种铜酞菁齐聚物/聚合物高介电常数复合薄膜的制备方法，其特征在于：先将铜酞菁齐聚物化学接枝到聚合物上，然后利用溶液浇铸法制备铜酞菁齐聚物/聚合物复合薄膜，该薄膜介电常数在室温下100Hz时为400以上，介电损耗低于0.24。
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