[发明专利]一种基于平面金属条的光波导及其制备方法无效
申请号: | 201210026572.8 | 申请日: | 2012-02-07 |
公开(公告)号: | CN102565930A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 李国俊;潘丽;胡承刚;邱传凯;李飞;罗先刚;周崇喜;岳衢 | 申请(专利权)人: | 中国科学院光电技术研究所 |
主分类号: | G02B6/10 | 分类号: | G02B6/10;G02B6/13;G02B6/136;G02B6/132 |
代理公司: | 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 | 代理人: | 李新华;成金玉 |
地址: | 610209 *** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明提供一种基于平面金属条的光波导及其制备方法,其结构特征包括掺杂硅层及其上加工的平面金属条。制作流程包括:选择合适的绝缘硅(SOI),在掺杂硅表面沉积一层金属膜,再在金属膜表面涂覆抗蚀剂,利用紫外纳米压印技术在抗蚀剂上制作图形,最后通过干法刻蚀得到基于平面金属条的光波导。本发明中的光波导是由平面金属条制备于掺杂硅表面而成,可以使其在约束光波和降低能量损耗方面有明显改善;同时使用SOI片,避免了掺杂不均、掺杂层厚度难控制等缺点,保证了掺杂的浓度和均匀度;另外,本发明采用紫外纳米压印技术可以获得大面积、均匀度好的平面金属条,并降低了成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 平面 金属 波导 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种基于平面金属条的光波导的制作方法,其特征在于该方法步骤如下:步骤(1)选取单面抛光的SOI片,将表面清洗干净;步骤(2)在SOI片的掺杂硅表面沉积一层金属膜;步骤(3)在金属膜层表面涂覆抗蚀剂;涂覆完成后对基片进行热板或烘箱烘烤,烘烤温度为100~115℃,烘烤时间为2~5min;步骤(4)通过紫外纳米压印的方式,用压印模板在抗蚀剂上制作图形,并利用等离子刻蚀机去除压印后所剩余的抗蚀剂;步骤(5)采用干法刻蚀,将步骤(4)中的抗蚀剂图形转移至金属层;步骤(6)用有机溶剂浸泡刻蚀好的样品,将刻蚀剩余的抗蚀剂去除,得到基于平面金属条的光波导。
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