[发明专利]分子检测与鉴别的多接面结构的光二极管及其制造方法

摘要

本发明涉及一种分子检测与鉴别的多接面结构的光二极管及其制造方法。多接面结构的光二极管包括具有第一导电型杂质的基材、具有第一导电型杂质的磊晶层、具有第二导电型杂质的深井区、具有第一导电型杂质的第一井区、具有第二导电型杂质的第二井区、具有第一导电型杂质的第三井区以及具有第二导电型杂质的第一掺杂区。磊晶层配置于基材上。深井区配置于磊晶层中。第一井区配置于深井区中，其三边与磊晶层相接。第二井区配置于第一井区中。第三井区配置于第二井区中，其三边与磊晶层相接。第一掺杂区配置于第三井区中。

主权项

一种半导体元件，其特征在于，包括：具有一第一导电型杂质的一基材；具有该第一导电型杂质的一磊晶层，配置于该基材上；具有一第二导电型杂质的一深井区，配置于该磊晶层中；具有该第一导电型杂质的一第一井区，配置于该深井区中，该第一井区的三边与该磊晶层相接；具有该第二导电型杂质的一第二井区，配置于该第一井区中；具有该第一导电型杂质的一第三井区，配置于该第二井区中，该第三井区的三边与该磊晶层相接；以及具有该第二导电型杂质的一第一掺杂区，配置于该第三井区中。