[发明专利]一种羟基氧化钴的制备方法

摘要

本发明公开了一种羟基氧化钴的制备方法。本方法以钴盐溶液为原料，在碱性溶液中，氧化剂存在的条件下同时进行沉淀和氧化反应，沉淀物经洗涤除杂、干燥造粒、混合过筛处理，制备得D50为10～20微米的羟基氧化钴。用该羟基氧化钴制备的钴酸锂与传统四氧化三钴原料制备的钴酸锂相比，压实密度可明显提高0.2-0.3g/cm3，且容量、循环性能亦有明显改善。同时本发明技术与传统电池正极原料四氧化三钴的制备技术相比，成本低、能耗低、更加环保，具有经济与社会双重效益。

主权项

一种羟基氧化钴的制备方法，其特征在于包括如下步骤：1)原料准备：以氯化钴、硫酸钴、硝酸钴中一种或几种钴盐溶液为原料，溶液中钴离子浓度为0.5～2.0mol/L，碱性溶液为氢氧化钠溶液、氨水、氢氧化钾溶液中的一种或几种混合液，氢氧根浓度为3.0～6.0mol/L；2)沉淀反应：碱性溶液加入反应釜中，加入钴盐溶液和氧化剂，同时进行沉淀和氧化反应，控制反应温度为40～70℃，氧化剂用量为理论值的1.2～10倍，反应时间为3～10小时，反应终点pH值＞12；3)洗涤除杂：上述沉淀物过滤后，用去离子水洗涤，除去溶于水的阴阳离子，再用纯水制得固液比为1∶1～1∶4的含羟基氧化钴的浆料；4)干燥造粒：将上述浆料打入喷雾干燥器或流化床干燥器进行干燥造粒；5)混合过筛：将干燥造粒的羟基氧化钴放入混合机中进行混合，再过筛制得D50为10～20微米的羟基氧化钴成品。