[发明专利]一种硅PIN中子剂量探测器及其制备方法有效
| 申请号： | 201210015141.1 | 申请日： | 2012-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN102544186A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 樊超;于民;杨昉东;田大宇;王金延;金玉丰 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L31/118 | 分类号： | H01L31/118;H01L31/18;G01T3/00 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 | 代理人： | 李稚婷 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅PIN中子剂量探测器及其制备方法。该硅PIN中子剂量探测器包括高电阻硅片以及分别位于硅片正面和背面的P型和N型有源区，两个有源区中一个为圆形，另一个为圆环形。本发明通过将P型有源区和N型有源区设计成上下非对称结构，使得P区和N区之间的距离大于硅片的厚度，有效增大了两个有源区的距离，即增大了探测器I区的有效厚度，突破了硅片厚度对PIN管I区厚度的限制。此外，环形有源区通过其结构本身的对称性产生比较均匀的电流分布。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 pin 中子 剂量 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种硅PIN中子剂量探测器，包括高电阻硅片以及分别位于高电阻硅片正面和背面的P型和N型有源区，其特征在于，两个有源区中一个为圆形，另一个为圆环形。
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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